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纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来···

GaN，助力6G

布里斯托大学领导的研究可以通过使基于 GaN 的射频功率放大器更快、更强大、更可靠来增强 6G 传输。该项突破发表在《自然电子学》杂志上，利用多通道 GaN 晶体管中的锁存效应来提高射频设备的性能。据该研究的共同主···

Finwave筹集820万美元短期投资以推动市场发展

美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Fi

GaN可靠性里程碑突破硅天花板

半导体行业正处于性能、效率和可靠性必须同步发展的阶段。AI 基础设施、电动汽车、电源转换和通信系统的需求正在将材料推向极限。氮化镓 （GaN） 越来越受到关注，因为它可以满足这些需求。该行业已经到了这样一···

通过集成驱动器和高级保护功能简化GaN电源设计

高效率和高功率密度是为当今产品设计电源时的关键特性。为了实现这些目标，开发人员正在转向氮化镓 （GaN），这是一种可实现高开关频率的宽带隙半导体技术。与竞争对手的功率半导体技术相比，GaN 最大限度地减少了所···

GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人···